InGaN/GaN light-emitting diodes with ITO p-contact layers prepared by RF sputtering

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标题	InGaN/GaN light-emitting diodes with ITO p-contact layers prepared by RF sputtering 射频溅射制备ITO p接触层InGaN/GaN发光二极管相关领域材料科学氧化铟锡发光二极管光电子学退火（玻璃）透射率溅射外延氮化物薄膜图层（电子）纳米技术冶金
网址	https://doi.org/10.1088/0268-1242/18/4/102
DOI	10.1088/0268-1242/18/4/102 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：C.S. Chang; Shoou‐Jinn Chang; Yan‐Kuin Su; Yen-Sheng Lin; Y.P. Hsu; et al 出版日期：2003-02-26
求助人	等待的凝芙在 2024-11-05 17:32:22 发布自陕西，悬赏 10 积分
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