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 InGaN/GaN light-emitting diodes with ITO p-contact layers prepared by RF sputtering 射频溅射制备ITO p接触层InGaN/GaN发光二极管
相关领域
材料科学
氧化铟锡
发光二极管
光电子学
退火（玻璃）
透射率
溅射
外延
氮化物
薄膜
图层（电子）
纳米技术
冶金
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| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：C.S. Chang; Shoou‐Jinn Chang; Yan‐Kuin Su; Yen-Sheng Lin; Y.P. Hsu; et al 出版日期：2003-02-26 |
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