| 标题 |
 Bulk and epitaxial growth of silicon carbide 碳化硅的体生长和外延生长
相关领域
碳化硅
升华（心理学）
外延
薄脆饼
化学气相沉积
材料科学
位错
硅
兴奋剂
半导体
工程物理
纳米技术
光电子学
复合材料
工程类
心理学
心理治疗师
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 作者：Tsunenobu Kimoto 出版日期：2016-05-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
毛豆
cocolu
pluto
SYLH
藤椒辣鱼
Singularity
劲秉
FIN
子车茗
36456657
研友_Z14Yln
ceeray23
杳鸢
pcr163
iNk
一一
无名老大
VDC
竹筏过海
坚强的广山
皖公网安备34019202002308
