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[求助补充材料] Orientation‐Selective Memory Switching in Quasi‐1D NbSe3 Neuromorphic Device for Omnibearing Motion Detection
用于全方位运动检测的准一维NbSe3神经形态装置中的方向选择性记忆切换
相关领域
神经形态工程学
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期刊:Advanced Materials 作者:Ruo‐Yao Sun; Zeyu Hou; Qing Chen; Bingxuan Zhu; Chengyi Zhu; et al 出版日期:2024-11-20 |
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