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Half-cycle atomic layer deposition reaction studies of Al2O3 on In0.2Ga0.8As (100) surfaces
Al2O3在In0.2Ga 0.8 As（100）表面半循环原子层沉积反应研究
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1063/1.3033404
DOI
10.1063/1.3033404 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Marko Milojević; F. S. Aguirre‐Tostado; Christopher L. Hinkle; H. C. Kim; Eric M. Vogel; et al
出版日期：2008-11-17
求助人
苹果 在 2025-03-10 15:09:45 发布自浙江，悬赏 10 积分
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