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Review on SiC MOSFETs High-Voltage Device Reliability Focusing on Threshold Voltage Instability
以阈值电压不稳定性为重点的SiC MOSFETs高压器件可靠性研究综述
相关领域
阈值电压
可靠性(半导体)
MOSFET
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Katja Puschkarsky; T. Grasser; Thomas Aichinger; Wolfgang Gustin; H. Reisinger 出版日期:2019-11-01 |
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