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 Temperature-dependent bias-stress-induced electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的温度相关偏压引起的电不稳定性
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期刊：Chinese Physics B 作者：Qian Huimin; Guang Yu; Hai Lu; Chenfei Wu; Lan-Feng Tang; et al 出版日期：2015-06-25 |
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