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 Theoretical and experimental analysis of the source resistance components in In0.7Ga0.3As quantum-well high-electron-mobility transistors In0.7Ga 0.3 As量子阱高电子迁移率晶体管源极电阻分量的理论与实验分析
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期刊：Journal of the Korean Physical Society (Print) 作者：In Geun Lee; Dae Hong Ko; Seung Won Yun; Jun Gyu Kim; Hyeon-Bhin Jo; et al 出版日期：2021-02-26 |
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