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 Evaluation on Temperature-Dependent Transient VT Instability in p-GaN Gate HEMTs under Negative Gate Stress by Fast Sweeping Characterization 用快速扫描表征评估负栅极应力下p-GaN栅极HEMT中温度相关瞬态VT不稳定性
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期刊：Micromachines 作者：Rong Wang; Hui Guo; Qianyu Hou; Jianming Lei; Jin Wang; et al 出版日期：2022-07-12 |
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