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How to Make Semi‐Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field
如何制作具有高内量子效率的半极性InGaN发光二极管:内场的重要性
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期刊:Laser & Photonics Review 作者:Markus Pristovsek; Nan Hu 出版日期:2024-08-31 |
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