| 标题 |
 Influence of Lateral Straggling of Implated Aluminum Ions on High Voltage 4H-SiC Device Edge Termination Design 注入铝离子横向散射对高压4H-SiC器件边缘终端设计的影响
相关领域
材料科学
GSM演进的增强数据速率
铝
电场
兴奋剂
电压
蒙特卡罗方法
离子
击穿电压
光电子学
电气工程
复合材料
计算机科学
工程类
物理
电信
统计
量子力学
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials science forum 作者：Yi Jiang; B. Jayant Baliga; Alex Q. Huang 出版日期：2018-06-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
丰盛的煎饼
西红柿炒番茄
乐乐乐乐乐乐
加菲丰丰
Hayat
kento
寻道图强
YifanWang
ShowMaker
冒险寻羊
杳鸢
互助遵法尚德
lanxinyue
景辣条
大仙
yyymmma
斯文败类
spark810
乐乐
水牛
皖公网安备34019202002308
