Ferroelectric synaptic devices based on CMOS-compatible HfAlOx for neuromorphic and reservoir computing applications

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标题	Ferroelectric synaptic devices based on CMOS-compatible HfAlOx for neuromorphic and reservoir computing applications 基于CMOS兼容HfAlOx的铁电突触器件在神经形态和储层计算中的应用相关领域神经形态工程学材料科学 CMOS芯片铁电性纳米技术计算机体系结构计算机科学光电子学人工神经网络人工智能电介质
网址	https://doi.org/10.1039/d3nr01294h
DOI	10.1039/d3nr01294h doi
其它	期刊：Nanoscale 作者：Dahye Kim; Jihyung Kim; Seokyeon Yun; Jungwoo Lee; Euncho Seo; et al 出版日期：2023-01-01
求助人	道栀在 2024-03-25 09:41:02 发布自江苏，悬赏 10 积分
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