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Very high voltage operation (>330 V) with high current gain of AlGaN/GaN HBTs
AlGaN/GaN HBTs具有高电流增益的极高电压工作(>330 V)
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Huili Grace Xing; P. Chavarkar; S. Keller; Steven P. DenBaars; Umesh K. Mishra 出版日期:2003-03-01 |
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