Properties of Al-SiO2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO2 Layers

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标题	Properties of Al-SiO2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO2 Layers 热生长和PECVD沉积SiO2层Al-SiO2-SiC（3C）结构的性能相关领域材料科学等离子体增强化学气相沉积碳化硅光电子学电介质拉曼光谱化学气相沉积电容器制作硅退火（玻璃）表征（材料科学）纳米技术复合材料电压电气工程光学医学物理替代医学病理工程类
网址	https://doi.org/10.1149/05804.0061ecst
DOI	10.1149/05804.0061ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：H. M. Przewłocki; Tomasz Gutt; Krzysztof Piskorski; Paweł Borowicz; Mietek Bakowski 出版日期：2013-08-31
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