Abnormal hump in low temperature in SiGe devices with silicon capping insertion layer

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标题	Abnormal hump in low temperature in SiGe devices with silicon capping insertion layer 硅盖插入层SiGe器件的低温异常隆起相关领域硅材料科学图层（电子）光电子学纳米技术
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac1373
DOI	10.1088/1361-6463/ac1373 doi
其它	期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Wei‐Chen Huang; Po‐Hsun Chen; Chih‐Yang Lin; Haimei Zheng; Hong-Chih Chen; et al 出版日期：2021-07-12
求助人	Yuksn 在 2024-10-31 11:07:38 发布自福建，悬赏 10 积分
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