| 标题 |
 Dynamic reactions of defects in ion-implanted 4H-SiC upon high temperature annealing 离子注入4H-SiC高温退火时缺陷的动态反应
相关领域
空位缺陷
退火（玻璃）
材料科学
亚稳态
硅
离子
碳化硅
离子注入
拉曼光谱
猝灭（荧光）
拉曼散射
衍射
晶体缺陷
结晶学
分子物理学
化学
光电子学
光学
物理
有机化学
冶金
复合材料
荧光
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Physics D 作者：Xinghua Liu; Fangfang Ren; Zhengpeng Wang; Xiaofeng Sun; Qunsi Yang; et al 出版日期：2023-04-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
从容芮
pluto
paparazzi221
完美的天空
HEIKU
pcr163
ONESTUD
寻道图强
rosalieshi
彳亍1117
咖啡豆
一一
tuanheqi
陈军
可靠的书桃
yufanhui
皖公网安备34019202002308
