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 Dynamic reactions of defects in ion-implanted 4H-SiC upon high temperature annealing 离子注入4H-SiC高温退火时缺陷的动态反应
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期刊：Journal of Physics D 作者：Xinghua Liu; Fangfang Ren; Zhengpeng Wang; Xiaofeng Sun; Qunsi Yang; et al 出版日期：2023-04-11 |
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