Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals

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作者
B. Qin,Chaojie Ma,Quanlin Guo,Xiuzhen Li,Wenya Wei,Chenjun Ma,Qinghe Wang,Fang Liu,Mengze Zhao,Guodong Xue,Jiajie Qi,Muhong Wu,Hao Hong,Luojun Du,Qing Zhao,Peng Gao,Xinqiang Wang,Enge Wang,Guangyu Zhang,Can Liu,Kaihui Liu
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science (AAAS)]
卷期号:385 (6704): 99-104 被引量:6
标识
DOI:10.1126/science.ado6038
摘要

Rhombohedral-stacked transition-metal dichalcogenides (3R-TMDs), which are distinct from their hexagonal counterparts, exhibit higher carrier mobility, sliding ferroelectricity, and coherently enhanced nonlinear optical responses. However, surface epitaxial growth of large multilayer 3R-TMD single crystals is difficult. We report an interfacial epitaxy methodology for their growth of several compositions, including molybdenum disulfide (MoS
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