Impact of Top SiO$_{\text{2}}$ Interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET With TiN/SiO$_{\text{2}}$/Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$/SiO$_{\textit{x}}$/Si (MIFIS) Gate Structure

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