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作者
Sreetosh Goswami,Adam J. Matula,Santi Prasad Rath,Svante Hedström,Surajit Saha,Meenakshi Annamalai,Debabrata Sengupta,Abhijeet Patra,Siddhartha Ghosh,Hariom Jani,Soumya Sarkar,M. Motapothula,Christian A. Nijhuis,Jens Martin,Sreebrata Goswami,Víctor S. Batista,T. Venkatesan
出处
期刊：Nature Materials
[Springer Nature]
日期：2017-10-23
卷期号：16 (12): 1216-1224
被引量：283
摘要
Organic resistive memories based on a spin-coated layer of a ruthenium complex with azo-aromatic ligands show high endurance, stability and fast switching speed, as well as good device reproducibility.
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