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Theoretical design of a reconfigurable broadband integrated metamaterial terahertz device

太赫兹辐射 材料科学 光学 超材料 光电子学 透射率 吸收率 宽带 费米能量 物理 量子力学 反射率 电子
作者
Hui Li,Wenhui Xu,Qi Cui,Yan Wang,Yu Jiang
出处
期刊:Optics Express [The Optical Society]
卷期号:28 (26): 40060-40060 被引量:45
标识
DOI:10.1364/oe.414961
摘要

An actively reconfigurable broadband terahertz (THz) metamaterial functional device based on the phase-change material vanadium dioxide (VO 2 ) and two-dimensional graphene material is theoretically proposed and demonstrated. The device has excellent tolerance under oblique incidence. When the VO 2 is in the metallic state, and the Fermi energy of graphene is fixed at 0.1 eV, the designed device acts as a broadband THz absorber in the transverse magnetic (TM) polarization mode. The absorptance bandwidth exceeds 0.55 THz with a complete absorption intensity of more than 90%. In this state, the absorber operates as a broadband modulator with the total modulation depth exceeding 91.5% as the continually decreased conductivity of VO 2 from 200000 S/m to 10 S/m. In the transverse electric (TE) polarization process, the structure behaves as a dual-band absorber with two perfect absorption peaks. When the conductivity of VO 2 is changed, the tunable absorber can also be regarded as an absorptance modulator, with a maximum modulation intensity of 92.1%. Alternatively, when VO 2 behaves as an insulator at room temperature in the TE polarization mode, a strong broadband electromagnetically induced transparency (EIT) window is obtained, with a bandwidth exceeding 0.42 THz in the transmittance spectrum. By varying the Fermi energy of graphene from 0 to 0.9 eV, the EIT-like window or broadband transmission spectrum (in TM mode) can be switched. The results indicate that the device can also be operated as a modulator in the transmission mode. The impedance matching theory is used, and electric field distributions are analyzed to quantify the physical mechanism. An advantage of the manipulation of the polarization angle is that the modulation performance of the proposed multi-functional THz device can be regulated after fabricated.
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