| 标题 |
 Demonstration of MOCVD-grown Ga2O3 power MOSFETs on sapphire with in-situ Si-doped by tetraethyl orthosilicate (TEOS) 在蓝宝石上进行原位硅正硅酸四乙酯（TEK）原位掺硅的MOVD生长的Ga2 O3功率场效应晶体管演示
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
蓝宝石
掺杂剂
跨导
化学气相沉积
外延
正硅酸乙酯
击穿电压
兴奋剂
光电子学
分析化学（期刊）
纳米技术
电压
化学
电气工程
晶体管
图层（电子）
光学
工程类
物理
激光器
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Discover Nano 作者：S.C. Ngo; Chan-Hung Lu; Fu‐Gow Tarntair; Sheng-Ti Chung; Tian‐Li Wu; et al 出版日期：2023-05-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
可靠的书桃
从容芮
paparazzi221
pluto
一一
完美的天空
HEIKU
pcr163
ONESTUD
寻道图强
咖啡豆
彳亍1117
陈军
yufanhui
tuanheqi
8R60d8
皖公网安备34019202002308
