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 Doping-Free Complementary Logic Gates Enabled by Two-Dimensional Polarity-Controllable Transistors 二维极性可控晶体管实现的无掺杂互补逻辑门
相关领域
二硒化钨
逻辑门
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期刊：ACS Nano 作者：Giovanni V. Resta; Yashwanth Balaji; Dennis Lin; Iuliana Radu; Francky Catthoor; et al 出版日期：2018-06-29 |
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