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 Non-Volatile Ferroelectric FETs Using 5-nm Hf0.5Zr0.5O2 With High Data Retention and Read Endurance for 1T Memory Applications 采用5纳米Hf0.5Zr 0.5 O2的非易失性铁电场效应晶体管，具有高数据保持和读取耐久性，适用于1T存储器应用
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物理
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：K. F. Chen; H. S. Chen; Chun-Ta Liao; G.-Y. Siang; Chung Mau Lo; et al 出版日期：2019-01-31 |
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