Enhanced Performance of Metal‐Semiconductor‐Metal UV Photodetectors on Algan/Gan Hemt Structure via Periodic Nanohole Patterning

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标题	Enhanced Performance of Metal‐Semiconductor‐Metal UV Photodetectors on Algan/Gan Hemt Structure via Periodic Nanohole Patterning 周期性纳米孔图案化增强Algan/Gan Hemt结构上金属-半导体-金属紫外光探测器的性能相关领域材料科学光电子学光电探测器光电流高电子迁移率晶体管响应度光探测半导体晶体管物理量子力学电压
网址	https://doi.org/10.1002/admi.202300726
DOI	10.1002/admi.202300726 doi
其它	期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Ahmed S. Razeen; Dharmraj Kotekar‐Patil; Mengting Jiang; Eric X. Tang; Gao Yuan; et al 出版日期：2024-01-08
求助人	1223 在 2024-10-12 11:32:28 发布自江苏，悬赏 10 积分
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