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[高分] Monolithically Integrated Power Converter Based on Etching-Free p-GaN HEMTs by Hydrogen Plasma Treatment Technology
基于氢等离子体处理无刻蚀p-GaN HEMTs的单片集成功率变换器
相关领域
蚀刻(微加工)
材料科学
等离子体
氢
光电子学
氮化镓
宽禁带半导体
功率(物理)
等离子体刻蚀
电气工程
化学
纳米技术
工程类
物理
图层(电子)
有机化学
量子力学
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期刊: 作者:Ang Li; Fan Li; Weisheng Wang; Yuhao Zhu; Wen Liu; et al 出版日期:2024-06-02 |
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