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Nonlinear and multilevel resistive switching memory in Ni/Si3N4/Al2O3/TiN structures
Ni/Si3N4/Al2O3/TiN结构中的非线性和多级电阻开关存储器
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网址
https://doi.org/10.1063/1.4952719
DOI
10.1063/1.4952719 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Sungjun Kim; Byung‐Gook Park
出版日期：2016-05-23
求助人
感动的念双 在 2025-02-24 17:37:17 发布自天津，悬赏 10 积分
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