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标题
A 10nm high performance and low-power CMOS technology featuring 3rd generation FinFET transistors, Self-Aligned Quad Patterning, contact over active gate and cobalt local interconnects
10nm高性能低功耗CMOS技术，采用第三代FinFET晶体管、自对准四元模式、有源栅极接触和钴局域互连
相关领域
互连 材料科学 CMOS芯片 晶体管 光电子学 金属浇口 栅极电介质 硅 电气工程 堆栈（抽象数据类型） 接触电阻 逻辑门 纳米技术 图层（电子） 计算机科学 栅氧化层 工程类 电信 电压 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1109/iedm.2017.8268472
DOI
10.1109/iedm.2017.8268472 doi
其它 期刊：
作者：C. Auth; A. Aliyarukunju; M. Asoro; D. Bergstrom; Vinay Bhagwat; et al
出版日期：2017-12-01
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wzx 在 2025-02-25 13:40:41 发布自江苏，悬赏 10 积分
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