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Growth of Thick 4H–SiC(0001) Epilayers and Reduction of Basal Plane Dislocations
厚4H-SiC（0001）外延层的生长和基面位错的减少
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网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.44.L806/meta
DOI
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AI识别 10.1143/jjap.44.l806 doi
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直率的板凳 在 2024-12-21 10:00:07 发布自上海，悬赏 10 积分
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