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标题
(Invited) Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS
（特邀）Ge CMOS超越Si-CMOS的可行性
相关领域
CMOS芯片 电介质 材料科学 光电子学 锗 栅极电介质 电子迁移率 堆栈（抽象数据类型） 接口（物质） MOSFET 高-κ电介质 电子 工程物理 电气工程 硅 电子工程 纳米技术 计算机科学 晶体管 工程类 物理 毛细管数 电压 量子力学 毛细管作用 复合材料 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1149/1.3487532
DOI
10.1149/1.3487532 doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Akira Toriumi; Choong Hyun Lee; Tomonori Nishimura; Koji Kita; Shengkai Wang; et al
出版日期：2010-10-01
求助人
奔流的河 在 2025-02-02 20:16:10 发布自河北，悬赏 10 积分
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    奔流的河 奔流的河 求助人 Lv4 发起了本次求助

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