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Low Resistance State Degradation during Endurance Measurements in HfO2/HfOXNY-Based Structures
HfO2/HfOXNY基结构耐久性测量过程中的低电阻态退化
相关领域
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期刊:Semiconductors 作者:O. O. Permyakova; A. E. Rogozhin; A. V. Myagonkikh; K. V. Rudenko 出版日期:2024-03-01 |
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