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 Back-end-of-line Compatible Transistor With Ultrathin InZnO Channel Enabling Operations in Cryogenic Environments 具有超薄InZnO沟道的后端兼容晶体管，可在低温环境中工作
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Nayeon Kim; Hyoungjin Park; Jiae Jeong; Hyun Wook Kim; Eunryeong Hong; et al 出版日期：2024-07-29 |
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