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标题
Dependence of RF Power Bias on Hydrogenated Amorphous Silicon by High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition
射频功率偏压对高密度等离子体化学气相沉积氢化非晶硅的依赖性
相关领域
非晶硅 化学气相沉积 材料科学 等离子体增强化学气相沉积 等离子体 射频功率放大器 沉积（地质） 等离子体处理 硅 分析化学（期刊） 光电子学 化学 环境化学 晶体硅 物理 核物理学 古生物学 放大器 生物 CMOS芯片 沉积物
网址
https://doi.org/10.1149/ma2005-02/24/883
DOI
10.1149/ma2005-02/24/883 doi
其它 期刊：Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM)
作者：Wen-Chu Hsiao; Chuan‐Pu Liu; Ying-Lang Wang
出版日期：2006-02-17
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hh 在 2025-01-09 16:19:03 发布自北京，悬赏 10 积分
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