Revisiting Lateral-BTBT Gate-Induced Drain Leakage in Nanowire FETs for 1T-DRAM

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标题	Revisiting Lateral-BTBT Gate-Induced Drain Leakage in Nanowire FETs for 1T-DRAM 1T-DRAM纳米线FET中横向BTBT栅极诱导漏极泄漏的再探讨相关领域德拉姆纳米线泄漏（经济）光电子学材料科学逻辑门 MOSFET 电气工程晶体管工程类电压经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3365773
DOI	10.1109/ted.2024.3365773 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：MD Yasir Bashir; Anupam Kumar Jaiswal; Sharang Dhar Patel; Shubham Sahay 出版日期：2024-02-21
求助人	Et3rnity 在 2024-09-25 16:11:17 发布自安徽，悬赏 10 积分
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