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 Experimental assessment of gate-induced drain leakage in SOI stacked nanowire and nanosheet nMOSFETs at high temperatures 高温下SOI堆叠纳米线和纳米片NMOSFET中栅极诱导漏极泄漏的实验评估
相关领域
纳米片
材料科学
纳米线
绝缘体上的硅
泄漏（经济）
光电子学
MOSFET
电子工程
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纳米技术
晶体管
硅
工程类
电压
经济
宏观经济学
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Michelly de Souza; A. Cerdeira; M. Estrada; M. Cassé; Sylvain Barraud; et al 出版日期：2023-10-01 |
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