标题 |
Properties of Schottky Barrier Diodes on (InxGa1–x)2O3 for 0.01 ≤ x ≤ 0.85 Determined by a Combinatorial Approach
用组合方法确定(InxGa1-x)2O3上0.01≤x≤0.85的肖特基势垒二极管的性质
相关领域
化学
二极管
薄膜
肖特基二极管
肖特基势垒
单斜晶系
铟
光电子学
等效串联电阻
吸收边
分析化学(期刊)
结晶学
带隙
材料科学
纳米技术
晶体结构
量子力学
物理
电压
色谱法
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Combinatorial Science 作者:H. von Wenckstern; D. Splith; A. Werner; S. Müller; M. Lorenz; M. Grundmann 出版日期:2015-10-23 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|