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标题
Single-event upset responses of dual- and triple-well designs at advanced planar and FinFET technologies
采用先进平面和fin技术的双井和三井设计的单粒子翻转响应
相关领域
心烦意乱 单事件翻转 节点（物理） 电压 平面的 触发器 费用分摊 对偶（语法数字） 存储单元 电气工程 物理 材料科学 光电子学 计算机科学 静态随机存取存储器 工程类 晶体管 CMOS芯片 机械工程 艺术 计算机图形学（图像） 文学类 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/radecs.2016.8093171
DOI
10.1109/radecs.2016.8093171 doi
其它 期刊：
作者：H. Zhang; H. Jiang; T. Assis; Dennis R. Ball; Indranil Chatterjee; et al
出版日期：2016-09-01
求助人
李沐唅 在 2025-03-20 22:08:45 发布自贵州，悬赏 10 积分
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