标题 |
Re-Examination of Vth Window and Reliability in HfO2 FeFET Based on the Direct Extraction of Spontaneous Polarization and Trap Charge during Memory Operation
基于存储操作中自发极化和陷阱电荷的直接提取的HfO2 FeFET中Vth窗口和可靠性的重新研究
相关领域
材料科学
铁电性
光电子学
非易失性存储器
极化(电化学)
阈值电压
可靠性(半导体)
存水弯(水管)
电压
电气工程
电子工程
功率(物理)
电介质
化学
物理
工程类
晶体管
物理化学
气象学
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2020 IEEE Symposium on VLSI Technology 作者:Reika Ichihara; Kunifumi Suzuki; Haruka Kusai; Keiko Ariyoshi; Keisuke Akari; et al 出版日期:2020-12-03 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|