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 CMOS‐Integrated Ternary Content Addressable Memory using Nanocavity CBRAMs for High Sensing Margin 基于纳米腔CBRAMs的CMOS集成三值内容寻址存储器
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期刊：Small 作者：Gihwan Hyun; Batyrbek Alimkhanuly; Donguk Seo; Minwoo Lee; Junseong Bae; et al 出版日期：2024-04-12 |
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