SiC Trench MOSFET With Embedded Schottky Super Barrier Rectifier for High Temperature Ruggedness

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标题	SiC Trench MOSFET With Embedded Schottky Super Barrier Rectifier for High Temperature Ruggedness 嵌入肖特基超势垒整流器的SiC沟槽MOSFET耐高温性能相关领域肖特基势垒肖特基二极管沟槽材料科学光电子学金属半导体结 MOSFET 碳化硅二极管电气工程纳米技术工程类晶体管电压图层（电子）复合材料
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3315680
DOI	10.1109/ted.2023.3315680 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Xintian Zhou; Shida Zhang; Mingwei Li; Yunpeng Jia; Dongqing Hu; et al 出版日期：2023-11-01
求助人	酸汤肥牛在 2024-05-11 11:02:27 发布自上海，悬赏 10 积分
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