Indium-doping-induced selenium vacancy engineering of layered tin diselenide for improving room-temperature sulfur dioxide gas sensing

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标题	Indium-doping-induced selenium vacancy engineering of layered tin diselenide for improving room-temperature sulfur dioxide gas sensing 掺铟诱导层状二硒化锡硒空位工程改善室温二氧化硫气敏相关领域二硒醚铟硒二氧化锡兴奋剂材料科学锡空位缺陷硫黄二氧化硫纳米技术无机化学化学工程光电子学化学冶金结晶学工程类
网址	https://doi.org/10.1039/d2ta04317c
DOI	10.1039/d2ta04317c doi
其它	期刊：Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability 作者：Xuezheng Guo; Yijie Shi; Yanqiao Ding; Yuhui He; Bingsheng Du; et al 出版日期：2022-01-01
求助人	星星在 2024-12-17 15:46:29 发布自陕西，悬赏 10 积分
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