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 Threshold Voltage Instability in p-GaN Gate AlGaN/GaN HFETs p-GaN栅极AlGaN/GaN HFET的阈值电压不稳定性
相关领域
材料科学
阈值电压
光电子学
肖特基势垒
肖特基二极管
热离子发射
量子隧道
宽禁带半导体
异质结
氮化镓
金属半导体结
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Luca Sayadi; Giuseppe Iannaccone; Sébastien Sicre; Oliver D. Häberlen; G. Curatola 出版日期：2018-04-27 |
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