Comparative Study of Atomic Layer Deposited Indium-Based Oxide Transistors with a Fermi Energy Level-Engineered Heterojunction Structure Channel through a Cation Combinatorial Approach

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标题	Comparative Study of Atomic Layer Deposited Indium-Based Oxide Transistors with a Fermi Energy Level-Engineered Heterojunction Structure Channel through a Cation Combinatorial Approach 原子层沉积铟基氧化物晶体管与费米能级异质结结构沟道的阳离子组合比较研究相关领域材料科学光电子学异质结薄膜晶体管 AMOLED公司图层（电子）晶体管纳米技术有源矩阵电气工程工程类电压
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.1c23889
DOI	10.1021/acsami.1c23889 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Min Hoe Cho; Cheol Hee Choi; Jae Kyeong Jeong 出版日期：2022-04-15
求助人	木本在 2024-04-15 20:54:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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