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 Control of 4H polytype of SiC crystals by moving up the crucible to adjust the temperature field of the growth interface 通过上移坩埚调节生长界面温度场控制4H多型SiC晶体
相关领域
坩埚（大地测量学）
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期刊：CrystEngComm 作者：Pan Gao; Jun Xin; Xue‐Chao Liu; Yanqing Zheng; Er‐Wei Shi 出版日期：2019-01-01 |
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