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Effect of La2O3 Capping Layer Thickness on Hot-Carrier Degradation of n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with High-k/Metal Gate Stacks
La2O3覆盖层厚度对高k/金属栅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子退化的影响
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10.7567/jjap.51.02bc10
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Dongwoo Kim; Seonhaeng Lee; Cheolgyu Kim; Taekyung Oh; Bongkoo Kang 出版日期:2012-02-01 |
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