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标题
Metal‐Semiconductor Phase Transition in Multilayer VSe2 for Broadband Photodetector with High Sensitivity
高灵敏度宽带光探测器多层VSe 2金属-半导体相转变
相关领域
材料科学 光电探测器 宽带 灵敏度(控制系统) 半导体 光电子学 过渡金属 光学 电子工程 物理 生物化学 化学 工程类 催化作用
网址
DOI
10.1002/aelm.202400682 doi
其它 期刊:Advanced Electronic Materials
作者:Yujue Yang; Mengjia Xia; Qixiao Zhao; Zhidong Pan; Huafeng Dong; et al
出版日期:2024-10-11
求助人
南山鹤 在 2024-11-20 15:07:31 发布自江苏,悬赏 10 积分
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