标题 |
Metal‐Semiconductor Phase Transition in Multilayer VSe2 for Broadband Photodetector with High Sensitivity
高灵敏度宽带光探测器多层VSe 2金属-半导体相转变
相关领域
材料科学
光电探测器
宽带
灵敏度(控制系统)
半导体
光电子学
过渡金属
光学
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Yujue Yang; Mengjia Xia; Qixiao Zhao; Zhidong Pan; Huafeng Dong; et al 出版日期:2024-10-11 |
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