标题 |
The effect of nucleation layer thickness on the structural evolution and crystal quality of bulk GaN grown by a two-step process on cone-patterned sapphire substrate
成核层厚度对锥形蓝宝石衬底上两步法生长体GaN结构演化和晶体质量的影响
相关领域
成核
Crystal(编程语言)
材料科学
蓝宝石
图层(电子)
基质(水族馆)
外延
扫描电子显微镜
结晶学
晶体生长
光学
纳米技术
化学
复合材料
地质学
激光器
物理
海洋学
有机化学
计算机科学
程序设计语言
|
网址 | |
DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|