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 Comparative study of CF4 + X + He (X = C4F8 or C4H2F6) plasmas for high aspect ratio etching of SiO2 with ACL mask CF4+X+He（X=C4F8或C4H2F6）等离子体用于ACL掩模高纵横比蚀刻SiO2的比较研究
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期刊：Plasma Processes and Polymers 作者：Gilyoung Choi; Alexander Efremov; Kwang‐Ho Kwon 出版日期：2024-07-02 |
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