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 Wide-range Threshold Voltage Tunable β-Ga2O3 FETs with a Sputtered AlScN Ferroelectric Gate Dielectric 溅射AlScN铁电栅介质宽范围阈值电压可调β-Ga2O3场效应晶体管
相关领域
铁电性
电介质
材料科学
光电子学
栅极电介质
阈值电压
电压
电气工程
航程（航空）
晶体管
工程类
复合材料
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| 其它 |
期刊：IEEE electron device letters 作者：Seung‐Yoon Oh; Seokgi Kim; Gyuhyung Lee; Ji‐Hyeon Park; Dae‐Woo Jeon; et al 出版日期：2024-01-01 |
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