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标题
Breakdown Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in Silicon by Improving the GaN Quality on Thick Buffer Layers
通过改善厚缓冲层上的GaN质量增强4-in硅上AlGaN/GaN HEMT的击穿
相关领域
晶体管 缓冲器（光纤） 图层（电子） 阈值电压
网址
https://doi.org/10.1109/led.2009.2018288
DOI
10.1109/led.2009.2018288 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：S. L. Selvaraj; Takaaki Suzue; T. Egawa
出版日期：2009-04-28
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紧张的怜寒 在 2025-01-13 16:29:34 发布自广东，悬赏 10 积分
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