标题 |
Displacement Damage, Total Ionizing Dose, and Transient Ionization Effects in Gate-All-Around Field Effect Transistors
全栅极场效应晶体管的位移损伤、总电离剂量和瞬态电离效应
相关领域
电离辐射
瞬态(计算机编程)
电离
流离失所(心理学)
材料科学
撞击电离
晶体管
原子物理学
物理
辐照
离子
核物理学
电压
计算机科学
心理学
量子力学
心理治疗师
操作系统
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Applied Electronic Materials 作者:Michael Titze; Alex Belianinov; Andrew M. Tonigan; Shaobin Su; György Vizkelethy; et al 出版日期:2024-07-17 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|