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 n- AlGaAs /p- GaAs /n -GaN heterojunction bipolar transistor wafer-fused at 550–750 °C n-AlGaAs/p-GaAs/n-GaN异质结双极晶体管晶片-在550-750℃下熔合
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异质结双极晶体管
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共发射极
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材料科学
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电压
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期刊：Applied physics letters 作者：Sarah M. Estrada; Andrew S. Huntington; A. R. Stonas; Huili Grace Xing; Umesh K. Mishra; et al 出版日期：2003-07-21 |
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